[发明专利]一种聚合物裂解－反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法无效
| 申请号： | 200710035810.0 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101157556A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 彭可;易茂中;冉丽萍;葛毅成;方勋华 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/78;C04B35/65;C01B31/36 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410083湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种聚合物裂解－反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法，包括以下步骤：将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂，加入Si粉，混合均匀后，加热挥发除去有机溶剂；将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解，最高裂解温度1000～1350℃，升温速度0.5～10℃/min；测定复合粉末的碳与硅的含量，得出复合粉末中SiC和Si的量，按摩尔比Mo∶Si＝1∶2加入Mo粉，混合，反应热压制备；热压工艺为：升温速度20～100℃/min，热压温度1450～1700℃，压力20～50MPa，保温30～120min，真空或惰性气体保护。本发明材料经XRD检测表明，仅含MoSi2和SiC两相。本发明材料是在不降低MoSi2抗高温氧化性前提下，最大限度地改善了MoSi2基复合材料的室温和高温力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 裂解 反应 热压 制备 纳米 sic 颗粒 增强 mosi sub 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂，加入Si粉，混合均匀后，加热挥发除去有机溶剂；(2)将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解，最高裂解温度1000～1350℃，升温速度0.5～10℃/min；(3)测定复合粉末的碳与硅的含量，得出复合粉末中SiC和Si的量，按摩尔比Mo∶Si＝1∶2加入Mo粉，均匀混合后，放入石墨模具中，通过反应热压制备SiC/MoSi2纳米复合材料；热压工艺为：升温速度20～100℃/min，热压温度1450～1700℃，热压压力20～50MPa，保温时间30～120min，真空或惰性气体保护。
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