[发明专利]半导体芯片局部电子辐照方法及装置有效
| 申请号： | 200710035980.9 | 申请日： | 2007-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101145519A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 张明;李继鲁;蒋谊;陈芳林 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 半导体芯片局部电子辐照方法及装置，将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理，在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分，设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块，遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 局部 电子 辐照 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.半导体芯片局部电子辐照方法，其特征在于：将芯片置于芯片的电子辐照区内的辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射时电子射线的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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