[发明专利]多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710036416.9 申请日: 2007-01-12
公开(公告)号: CN100998901A 公开(公告)日: 2007-07-18
发明(设计)人: 焦继伟;宫昌萌;包晓清;王跃林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: A61M5/32 分类号: A61M5/32;A61M5/158;A61M5/00;B81C1/00;B81C5/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法,其特征在于微针密度可达50%,微针针孔与基底垂直,阵列中微针为多根针头或单根针头,微针长度达100-200μm,针孔最小为2nm,且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅,然后刻蚀出针头,简化了针头的制作工艺,降低了成本,其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作,深宽比大、直径小。可阳止微生物通过注射孔进入组织,避免生物组织因注射而被感染,且提高药物输送效率。
搜索关键词: 多孔 无痛 注射 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
1、多孔硅无痛注射微针阵列,其特征在于:①微针的密度可达50%,②微针针孔与基底垂直,③组成微针阵列的微针长度、截面积、截面形状、针孔直径和微针间距各不相同。
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