[发明专利]非晶纳米晶块体磁元件的制备方法有效
| 申请号： | 200710036441.7 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101030468A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 严彪;陈伯渠;杨沙 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01F3/04 | 分类号： | H01F3/04;H01F41/02;C22C45/00;C22C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 解文霞;余明伟 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶纳米合金的制备方法。本发明所述的非晶纳米晶块体磁元件的制备方法，依次包括如下步骤：将非晶薄带裁剪成合适的尺寸；通过粘结剂使每一层非晶薄带叠层相互粘合，直到所需的厚度；在非晶玻璃转变区的温度范围内加压0.5～5小时，压强大于或等于100MPa；在步骤c制得的非晶合金块上涂绝缘层，然后添加粘结剂压制成块。利用本发明的方法可以制备大块的非晶合金磁元件，有效地减少了铁心损失，并有利于改善使用所述元件的电气装置的效率，解决了非晶变压器节能和降低成本的根本问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 块体 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非晶纳米晶块体磁元件的制备方法，依次包括如下步骤：a、将非晶薄带裁剪成合适的尺寸；b、通过粘结剂使每一层非晶薄带叠层相互粘合，直到所需的厚度；c、在非晶玻璃转变区的温度范围内加压0.5～5小时，压强大于或等于100MPa；d、在步骤c制得的非晶合金块上涂绝缘层，然后添加粘结剂压制成块。
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