[发明专利]提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法

摘要

本发明涉及一种提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳的方法，其特征在于可选择下述三种方法中任意一种，即①通过在特定气氛条件下热处理提高A/Re_xC_1－xMnO₃/B三明治结构的抗疲劳性能；②通过在特定气氛下对A/Re_xC_1－xMnO₃/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能；③通过在特定气氛条件下热处理并在特定气氛下对A/Re_xC_1－xMnO₃/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能。所述特定气氛为低真空(10^－3－10³Pa)、低氧分压(10^－2－10²Pa)和Ar/H₂混合气氛。方法简单，易操作，可在单一上、下电极材料与薄膜构成的三明治结构中实现RRAM器件疲劳特性的提高。

主权项

1、提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳的方法，其特征在于可选择下述三种方法中任意一种：方法一、通过在特定气氛条件下热处理提高A/RexC1-xMnO3/B三明治结构的抗疲劳性能在底电极B上制备好RexC1-xMnO3薄膜，然后在RexC1-xMnO3薄膜上制作顶电极A阵列，形成A/RexC1-xMnO3/B结构，然后将其在特定气氛下进行热处理。热处理的温度范围为400-800℃；方法二、通过在特定气氛下对A/RexC1-xMnO3/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能在底电极B上制备好RexC1-xMnO3薄膜，然后在RexC1-xMnO3薄膜上制作顶电极A阵列，形成A/RexC1-xMnO3/B结构，A/RexC1-xMnO3/B结构不经过方法1中所述的热处理，而在特定气氛下，采用传统的半导体封装工艺对器件进行封装，封装材料应选择绝缘材料，使封装后的薄膜以及电极与薄膜的界面不与外界气氛接触；方法三、通过在特定气氛条件下热处理并在特定气氛下对A/RexC1-xMnO3/B结构进行封装处理提高其抗疲劳性能将按方法1所述热处理后的A/RexC1-xMnO3/B结构按方法2所述的方法进行封装；所述的特定气氛为低真空、低氧分压或Ar/H2混合气氛；所述的Re为La，Pr，Nd，Sm和Y中的一种或几种；所述的C为Ca，Sr和Ba中的一种或几种；所述的A电极为Ag，Ti，Al，Pt，Au，Ir，Cr，Cu，TiN，TaN或TiAlN；所述的B电极为Pt，Au，Ir，IrO2，Ru，RuO2，SrRuO3，LaxSr1-xCoO3，LaxSr1-xMnO3，LaNiO3+x，SrTiO3-x，La1-xSrxTiO3和SrNbxTi1-xO3中的一种；所述的RexC1-xMnO3表达式中0≤x≤1。