[发明专利]一种监测离子注入状态的方法有效
| 申请号： | 200710036531.6 | 申请日： | 2007-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101225506A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 许世勋;高强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/52 | 分类号： | C23C14/52;C23C14/48 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测离子注入状态的方法，包括以下步骤：A)在监测晶圆上沉积外延层，用于制作P/N结；B)用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值；C)对监测晶圆进行离子注入；D)用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值；E)计算两次测量的薄层电阻值的差值。该方法用于监测同一台离子注入设备的工作稳定性或不同离子注入设备的工作状态的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 离子 注入 状态 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监测离子注入状态的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、在监测晶圆上沉积外延层，用于制作P/N结；B、用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值；C、对监测晶圆进行离子注入；D、用测量机器测量监测晶圆的薄层电阻值；E、计算两次测量的薄层电阻值的差值。
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