[发明专利]一种半导体稳压器件

摘要

本发明公开了一种低电压半导体稳压器件，它具有低漏电、“硬击穿”特性，同时具有低的结电容。其技术方案为：本发明的稳压器件由两部分组成：一个双结型的二极管作为稳压器件的主体，一个附加的PN结作为正向导通之用。双结型的二极管内具有两个背对背的PN结，外端电容由于这两个PN结的串联而减小。另一方面当外加的电压使一个PN结反向偏置时，另一个PN结的正向势垒隔阻了反向偏置结的早期齐纳漏电，从而改善了“软击穿”的特性。本发明应用于半导体元器件领域。

主权项

1.一种半导体稳压器件，所述稳压器件包括：一由第一导电性半导体构成的衬底基片；一设置于所述衬底基片上的具有第一导电性的外延半导体层；一建构于所述外延半导体层表面的具有第二导电性的第一半导体区；一建构于所述第一半导体区表面的具有第一导电性的第二半导体区；一隐埋于所述第二半导体区之下的具有第二导电性的重掺杂半导体区；一建构于所述具有第一导电性的第二半导体区表面的金属接触层作为第一接出端；以及一建构于所述衬底基片背面的金属接触层作为第二接出端；其中，所述具有第一导电性的第二半导体区与具有第二导电性的重掺杂半导体区形成的第一PN结上形成反向偏置，同时在第一导电性半导体构成的衬底基片和具有第二导电性的第一半导体区形成的第二PN结上形成正向偏置，以产生所述稳压器件的稳压特性。