[发明专利]一种提高大功率LED芯片出光效率的方法

摘要

一种提高大功率LED芯片出光效率的方法，是在蓝宝石衬底上连接中间含有源层的GaN晶体，再在GaN晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。增透膜所对应的增透波长应与芯片有源层所发出的光的波长一致，而且增透膜需有3－5纳米的带宽，以防芯片温度升高所引起的波长失配。本发明方法可以使从芯片有源层发出的光透过GaN晶体入射到GaN晶体与增透膜的界面上，以95％以上的透过率穿过该界面而穿透出来，减少表面的反射，提高LED芯片的外量子效率；同时减少被GaN表面反射回去的光，提高内量子效率；具有较高的使用价值。

主权项

1.一种提高大功率LED芯片出光效率的方法，LED芯片包括：蓝宝石衬底(1)、GaN晶体(2)、有源层(3)，LED芯片的结构是：在蓝宝石衬底(1)上连接中间含有源层(3)的GaN晶体(2)，其特征在于：在GaN晶体(2)的表面和侧面上连接有对输出波长增透的增透膜(4)。