[发明专利]一类压电单晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 200710036836.7 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101029417A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 安华;徐家跃;钱国兴;陆宝亮;侍敏莉;张爱琼;李新华;林雅芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一类新型压电单晶体及其坩埚下降生长方法。其特征在于：通过同族元素替代形成了的压电晶体，通式为Sr3－xMexNbGa3Si2O14，其中Me为Ca或Ba，x＝0.1－2.9；优先0.1≤x≤1.5，所述的生长方法是按Sr3－xMexNbGa3Si2O14化学计量比配料，均匀混合，在1150～1170℃预烧8～12小时，通过固相反应，合成多晶原料；将合成料装入底部事先放入籽晶的坩埚中，然后将坩埚置于下降法生长炉中，在1450～1480℃温度范围熔化原料及籽晶顶部，生长界面温梯维持在20～40℃/cm，坩埚下降速度小于3mm/h。可根据需要生长不同方向、形状和尺寸的压电单晶，具有工艺设备简单，操作方便，一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 压电 单晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一类压电晶体，其特征在于所述的压电单晶体是通过同族元素替代，方法形成的，其通式为Sr3-xMexNbGa3Si2O14，0.1≤x≤2.9，Me为Sr的同族元素Ca或Ba。
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