[发明专利]一种三维植入式微电极阵列的制作方法有效

专利信息
申请号: 200710036837.1 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN101006920A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 李刚;程建功;姚源;周洪波;孙晓娜;赵建龙 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: A61B5/04 分类号: A61B5/04;A61N1/05;H01L21/00;H05K3/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及了一种三维植入式微电极阵列的制作方法,特征在于直接采用商品化的金属丝作为电极材料,并将金属丝嵌入利用微细加工技术制作的模具基片的微细凹槽中,一方面利用模具基片上的微细管道通过电化学腐蚀方法实现金属丝的定点断裂,并在断面处形成尖端;另一方面通过在模具基片上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS),利用聚合后的PDMS形成夹持金属丝电极的底座支撑部分;然后将包含金属丝的PDMS从模具基片上剥离切割,通过氧等离子轰击后叠加键合在一起组装成三维微电极阵列。本发明提供了一种加工简单、成本低廉的三维植入式微电极阵列制作方法,可用于加工制作进行神经疾病治疗、神经康复以及神经生物学基础研究的植入式微电极阵列。
搜索关键词: 一种 三维 植入 式微 电极 阵列 制作方法
【主权项】:
1、一种三维植入式微电极阵列的制作方法,该方法包括:①利用湿法或等离子刻蚀制作具有微细凹槽和微细结构的玻璃或硅模具基片;②将金属丝嵌入模具基片的凹槽中,两端用粘结胶固定;③在固定金属丝的模具基片上旋涂光刻胶,并光刻显影制作微沟槽和腔体;④模具基片上贴合一层可去除的盖片,与模具基片上光刻胶制作的沟槽一起形成封闭的微管道,微管道中加入电解液,利用电化学腐蚀的方法将所有金属丝从微管道处腐蚀断开;⑤去除盖片和电解液,并在模具基片上旋涂聚二甲基硅氧烷,加温聚合;⑥用丙酮去除光刻胶,并将夹持金属丝的聚二甲基硅氧烷层从模具基片上剥离;⑦切除聚二甲基硅氧烷多余部分,并将多层夹持金属丝的聚二甲基硅氧烷层利用氧等离子轰击,再叠加键合在一起构成三维微电极阵列;⑧通过溅射、蒸发或浸入的方式在三维微电极阵列外露金属丝表面进行绝缘处理;⑨通过化学腐蚀或电火花方式去除微电极金属丝尖端绝缘层,完成三维微电极阵列制作。
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