[发明专利]一种硅光电池无效
| 申请号： | 200710037206.1 | 申请日： | 2007-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101241941A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 邓运明 | 申请（专利权）人： | 上海华达运新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 20033*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅光电池，包括硅基体、设置在硅基体正面的负极线和设置在硅基体背面的正极线，其中的负极线包括负极主栅线及与该负极主栅线相连的一组负极栅线，负极主栅线设置在硅基体的一端和两侧，线宽0.5－2mm，一组负极栅线连接在两侧的负极主栅线之间，线宽0.10±0.02mm，栅线与栅线之间的间距为1.0±0.2mm。本发明的硅光电池的受光量达到标准太阳光强(1000w/m2)的10倍时，其发电量约增加到标准光强时的10倍，是一种高效能的光电转换电池，用它制作的太阳能聚光发电装置，具有很大的发电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电池 | ||
【主权项】：
1. 一种硅光电池，包括硅基体、设置在硅基体正面的负极线和设置在硅基体背面的正极线，其特征在于：所述的负极线包括负极主栅线及与该负极主栅线相连的一组负极栅线，负极主栅线设置在硅基体的一端和两侧，线宽0.5-2mm，一组负极栅线连接在两侧的负极主栅线之间，线宽为0.10±0.02mm，栅线与栅线之间的间距为1.0±0.2mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
