[发明专利]全程疏水性聚吡咯膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种全程疏水性聚吡咯膜的制备方法，本发明选用浸润性具有开关性质的导电聚吡咯，利用选用非平滑基底提高粗糙度的方法使其氧化态(或还原态)时的亲水性转变为憎水性，同时控制其在对应的还原态(或氧化态)时的疏水性，从而得到氧化态、还原态全疏水性的聚吡咯材料，其中提高粗糙度的方法是利用具有纳米级孔洞的嵌段共聚物膜(BCP)作为基底，利用电化学方法在其表面选择性沉积聚吡咯薄层，通过改变聚合时间等参数来控制。本发明的优点在于：利用基底对表面膜生长的影响，降低了聚合过程中其它实验参数控制的要求程度。所获得的产物，氧化还原电位范围内全程均为疏水性的导电高分子，能够满足有关领域的需要。

主权项

1.全程疏水性聚吡咯膜的制备方法，包括如下步骤：(1)以导电玻璃为导电基底，在其表面涂覆三嵌段共聚物聚苯乙烯-聚异戊二烯-聚乳酸或聚异戊二烯-聚苯乙烯-聚乳酸，获得表面具有嵌段共聚物聚苯乙烯-聚异戊二烯-聚乳酸或聚异戊二烯-聚苯乙烯-聚乳酸膜的导电基底；(2)将步骤(1)得到的产物在低于0.1大气压的条件下、120～170℃退火处理10～20小时，冷却；(3)将步骤(2)获得的产物浸渍在碱性物质、甲醇和水的混合溶中，腐蚀20分钟～2小时，去除聚乳酸，并形成具有纳米孔洞的聚苯乙烯-聚异戊二烯或聚异戊二烯-聚苯乙烯膜；(4)以步骤(3)的产物为工作电极，在与参比电极和辅助电极的三电极体系中，在氯化钾和吡咯的混合水溶液中，通过恒电位法进行聚合，电位为0.6～0.9V，时间为30秒～30小时；或以步骤(3)的产物为工作电极，在与参比电极和辅助电极的三电极体系中，在吡咯的水溶液中，扫描30秒～20小时，通过电位循环扫描法进行聚合；电位的上限为0.6-0.9V，下限为0.1-0.3V；或以步骤(3)的产物为工作电极，在与辅助电极的两电极体系中，在氯化钾和吡咯的混合水溶液中，通过恒电流法进行聚合，电流密度为1×10-6～5×10-4A/cm2，时间为30秒～30小时；(5)清洗步骤(4)得到的产物，得到不同孔隙和粗糙度的以嵌段共聚物膜作为基底材料的全程疏水性聚吡咯膜。