[发明专利]具有渐变金属导体线宽及间距的片上螺旋电感的设计方法无效
申请号: | 200710037615.1 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101017816A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 王勇;石艳玲;陈寿面;赵宇航 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02;H01L23/522;H01F17/00;H01F37/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203上海市张江高科*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种具有渐变金属导体线宽及间距的片上螺旋电感的设计方法,涉及集成电路制造技术。现有的片上螺旋电感设计方法没有考虑两金属导体间距变化对电感性能的影响,难以提供低Rs值、高Q值的螺旋电感。本发明的设计方法,采用以下公式计算片上螺旋电感每一圈金属导体的线宽wn及相邻两圈金属导体的间距sn:当N为奇数时,wN+w1=wN-1+w2=...=2w(N+1)/2=2w,sN-1+s1=sN-2+s2=...=s(N+1)/2+s(N-1)/2=2s;当N为偶数时,wN+w1=wN-1+w2=...=w(N/2)+1+wN/2=2w,sN-1+s1=sN-2+s2=...=2sN/2=2s;且wn+1>wn,sn+1>sn。采用本发明的设计方法能降低片上螺旋电感在高频时产生的涡流效应和临近效应,使串联等效电阻下降,从而减小能量损耗。 | ||
搜索关键词: | 具有 渐变 金属 导体 间距 螺旋 电感 设计 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有渐变金属导体线宽及间距的片上螺旋电感的设计方法,所述的片上螺旋电感包括衬底及形成在衬底上的金属导体线圈,所述金属导体线圈的总圈数为N,其特征在于,所述每一圈金属导体的线宽wn(n=1,2,...,N)及相邻两圈金属导体的间距sn(n=1,2,...,N-1)由下列公式计算:当N为奇数时,wN+w1=wN-1+w2=wN-2+w3=...=2w(N-1)/2=2w,且wn+1>wn,n=1,2,...,N-1;sN-1+s1=sN-2+s2=sN-3+s3=...=s(N+1)/2+s(N-1)/2=2s,且sn+1>sn,n=1,2,...,N-2;当N为偶数时,wN+w1=wN-1+w2=wN-2+w3=...=w(N/2)+1+wN/2=2w,且wn+1>wn,n=1,2,...,N-1;sN-1+s1=sN-2+s2=sN-3+s3=...=2sN/2=2s,且sn+1>sn,n=1,2,...,N-2;其中,wN和w1分别为最外圈和最内圈的金属导体线宽,sN-1和s1分别为最外圈线圈与它相邻线圈之间的间距和最内圈线圈与它相邻线圈之间的间距;w和s为常数,分别表示固定金属导体线宽和间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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