[发明专利]离子注入工艺的监测试片及监测方法有效
| 申请号： | 200710037671.5 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246809A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱津泉;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入工艺的监测试片，该试片具有衬底，所述衬底的杂质类型与待监测的离子注入工艺注入的杂质类型相反，此外，所述衬底内还具有预掺杂层，且所述预掺杂层的杂质类型与所述待监测的离子注入工艺注入的杂质类型相同，所述预掺杂层的厚度大于所述待监测的离子注入工艺的注入深度。本发明的离子注入工艺的监测方法是利用该监测试片实现的，其可以改善现有的浅结离子注入工艺难以监测的问题，提高对浅结离子注入工艺的监测力。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 工艺 监测 试片 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种离子注入工艺的监测试片，所述试片具有衬底，所述衬底的杂质类型与待监测的离子注入工艺注入的杂质类型相反，其特征在于：所述衬底内还具有预掺杂层，且所述预掺杂层的杂质类型与所述待监测的离子注入工艺注入的杂质类型相同，所述预掺杂层的厚度大于所述待监测的离子注入工艺的注入深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
