[发明专利]光致抗蚀剂掩膜形成方法有效
| 申请号： | 200710037683.8 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246309A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 孟兆祥;吴永玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光致抗蚀剂掩膜形成方法，包括：提供基底；以酸性清洗溶液清洗所述基底；在所述清洗后的基底上涂覆光致抗蚀剂层；图形化所述光致抗蚀剂层；检测所述图形化的光致抗蚀剂层；确定所述图形化的光致抗蚀剂层满足产品要求时，将图形化的所述光致抗蚀剂层作为光致抗蚀剂掩膜；确定所述图形化的光致抗蚀剂层不满足产品要求时，执行返工操作，直至确定所述光致抗蚀剂层满足产品要求；所述返工操作包括去除所述光致抗蚀剂层、以酸性清洗溶液清洗去除所述光致抗蚀剂层后的基底、以及光致抗蚀剂层的涂覆、图形化和检测的步骤。可保证经历返工过程后光致抗蚀剂掩膜的线宽尺寸的改变量减小。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂掩膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种光致抗蚀剂掩膜形成方法，包括：提供基底；以酸性清洗溶液清洗所述基底；在所述清洗后的基底上涂覆光致抗蚀剂层；图形化所述光致抗蚀剂层；检测所述图形化的光致抗蚀剂层；确定所述图形化的光致抗蚀剂层满足产品要求时，将图形化的所述光致抗蚀剂层作为光致抗蚀剂掩膜；确定所述图形化的光致抗蚀剂层不满足产品要求时，执行返工操作，直至确定所述光致抗蚀剂层满足产品要求；所述返工操作包括去除所述光致抗蚀剂层、以酸性清洗溶液清洗去除所述光致抗蚀剂层后的基底、以及光致抗蚀剂层的涂覆、图形化和检测的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710037683.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种设置文字属性的方法和装置
- 下一篇：一种聚己内酯降解菌株及其选育方法
