[发明专利]一种SOI集成电路结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200710037775.6 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101017834A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/367;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SOI集成电路结构，具有自上而下依次为单晶硅层、绝缘材料埋层以及衬底体硅材料的SOI结构，在单晶硅层具有浅沟槽隔离结构，所述的浅沟槽侧壁设有绝缘导热材料，该绝缘导热材料贯穿绝缘材料埋层与衬底体硅材料相接触。该结构可以形成一个上下硅层之间的热通道，便于器件产生的热量转移到衬底体硅材料上，有助于提高器件散热效率，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 集成电路 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种SOI集成电路结构，具有自上而下依次为单晶硅层、绝缘材料埋层以及衬底体硅材料的SOI结构，在单晶硅层具有浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述的浅沟槽侧壁和底部设有绝缘导热材料，所述绝缘导热材料贯穿绝缘材料埋层，所述绝缘导热材料的底层与衬底体硅材料相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710037775.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
