[发明专利]一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺有效
| 申请号： | 200710037778.X | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101022149A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 陈立东;赵德刚;李小亚;赵雪盈;周燕飞;柏胜强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/20 | 分类号： | H01L35/20;H01L35/08;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及与锑化钴基热电材料相匹配的合金电极(导流片)及其锑化钴基热电元件的一步法连接工艺。其特征在于所述的合金电极为Mo－Cu系列合金，优点在于可以自由设计相应的热膨胀系数(CTE)，达到与热电材料很好的热匹配。采用的电极材料为厚度0.5－3mm的钼铜合金片。其制备特征是采用一步法烧结连接而成，钼铜合金电极材料与锑化钴热电材料通过采用粒径在30－75μm的金属Ti的过渡层利用放电等离子烧结(SPS)连接而成。由于钼铜合金电极电导率高，且热膨胀系数与锑化钴基热电材料非常接近，使得界面结合非常稳定，且接合面无明显的电阻跃迁，制备工艺简单，成本也较单一Mo电极低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化钴 热电 元件 匹配 合金 电极 一步法 连接 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种与锑化钴热电元件相匹配的合金电极，其特征在于所述的合金电极为Mo-Cu合金，Cu的质量百分含量为30-60％，其余为Mo。
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