[发明专利]晶界添加氧化物或氮化物提高钕铁硼永磁材料性能的方法无效

专利信息
申请号: 200710037888.6 申请日: 2007-03-08
公开(公告)号: CN101055779A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 莫文剑;张澜庭;刘琼珍;单爱党;曹力军;吴建生 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02;C22C1/04;B22F3/10
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;张宗明
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种稀土材料技术领域的晶界添加氧化物或氮化物提高钕铁硼永磁材料性能的方法,步骤为:(1)采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或用速凝薄片工艺制成钕铁硼合金速凝薄片;(2)将合金先进行粗破碎,气流磨制成粉末;(3)加入氧化物或氮化物粉末均匀混合;(4)混合粉末在磁场下取向压制成型,取向压制后再将坯件进行冷等静压;(5)将坯件放入高真空烧结炉内,烧结并回火制成磁体。所述钕铁硼永磁材料,化学式为NdaFe100-a-b-cBbMc,原子百分比:12≤a≤24,5.5≤b≤7,0≤c≤7;M为Dy、Tb、Co、Ga、Al、Cu元素中一种或几种。本发明制得的烧结钕铁硼比不添加氧化物或氮化物制得的磁体磁性能和耐蚀性要好。
搜索关键词: 添加 氧化物 氮化物 提高 钕铁硼 永磁 材料 性能 方法
【主权项】:
1、一种晶界添加氧化物或氮化物提高钕铁硼永磁材料性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或用速凝薄片工艺制成钕铁硼合金速凝薄片;(2)将合金先进行粗破碎,气流磨制成粉末;(3)加入氧化物或氮化物粉末均匀混合;(4)混合粉末在磁场取向压制成型,取向压制后再将坯件进行冷等静压;(5)将坯件放入高真空烧结炉内,烧结并回火制成磁体;所述钕铁硼永磁材料,化学式为NdaFe100-a-b-cBbMc,原子百分比:12≤a≤24,5.5≤b≤7,0≤c≤7;M为Dy、Tb、Co、Ga、Al、Cu元素中一种或几种。
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