[发明专利]基于一维纳米材料的光电转换器件无效
| 申请号： | 200710038026.5 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101022137A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张亚非;陈长鑫;刘丽月 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/078 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种能源技术领域的基于一维纳米材料的光电转换器件，包括：一个p型肖特基势垒结构，所述p型肖特基势垒结构由一维半导性纳米材料与功函数高于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；一个n型肖特基势垒结构，所述n型肖特基势垒结构是由所述一维半导性纳米材料与功函数低于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；基底，其位于两个肖特基势垒结构的下方，为器件的支撑部分。本发明的结构简单、长期使用稳定性高；整个制备工艺可在常温下进行，不出现高温；在模拟太阳光照射下具有较高的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 材料 光电 转换 器件 | ||
【主权项】：
1、一种基于一维纳米材料的光电转换器件，其特征在于，包括：一个p型肖特基势垒结构，所述p型肖特基势垒结构由一维半导性纳米材料与功函数高于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；一个n型肖特基势垒结构，所述n型肖特基势垒结构是由所述一维半导性纳米材料与功函数低于一维半导性纳米材料的金属电极牢固连接后形成的；基底，其位于两个肖特基势垒结构的下方，为器件的支撑部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
