[发明专利]CMOS图像传感器中器件的隔离结构无效
| 申请号： | 200710038043.9 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266986A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李文强;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司;格科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/761;H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器中新的器件隔离结构，所述的器件包括晶体管和光电二极管。新的隔离结构采用反型掺杂的阱区作为器件之间的隔离结构。本发明能改善图像传感器信噪比及暗电流特性的要求，且能进一步提高图像传感器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 器件 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种CMOS图像传感器中器件的隔离结构，所述的器件包括晶体管和光电二极管，其特征在于，所述的器件之间采用反型掺杂的阱区作为隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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