[发明专利]高压太阳阵静电击穿效应地面模拟试验的方法无效

专利信息
申请号: 200710038439.3 申请日: 2007-03-26
公开(公告)号: CN101275989A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 李凯;秦晓刚;王立;柳青 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: G01R31/36 分类号: G01R31/36;G01R31/12
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 代理人: 徐筱梅
地址: 730030甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种高压太阳阵静电击穿效应地面模拟试验的方法,它包括建立模拟试验平台、将高压太阳阵样品置于模拟试验平台中诱发其表面静电放电、监测样品表面静电击穿阈值电压三个步骤;通过将高压太阳阵样品放置在地面模拟的GEO轨道最恶劣电子环境中,诱发高压太阳阵静电击穿现象的发生,确定静电击穿阈值电压和击穿瞬态脉冲波形,本发明利用电子辐照的方法在实验室里实现了静电击穿现象,为开展高压太阳阵样品静电击穿效应的研究提供了一个地面模拟的试验平台,非常适用于各类卫星大功率高压太阳阵静电放电及静电击穿效应的地面模拟试验,成功地解决了地面模拟试验样品小而影响试验结果的问题。
搜索关键词: 高压 太阳 静电 击穿 效应 地面 模拟 试验 方法
【主权项】:
1. 一种高压太阳阵静电击穿效应地面模拟试验的方法,其特征在于包括下列步骤:a.建立模拟试验平台:在一密闭的空间(10)内设有水平台(6)和工作模拟及监测系统(13),水平台(6)上置有绝缘垫(5),绝缘垫(5)的上方设有电位计(8),束流测量探头(7)设置在电位计(8)上,束流测量探头(7)的上方设有摄像头(1)、地磁亚暴电子枪(2)、模拟太阳光源(3);b.将高压太阳阵样品(4)放置于上述模拟试验平台中的绝缘垫(5)上,空间(10)抽真空,然后开启地磁亚暴电子枪(2)、模拟太阳光源(3)、工作模拟及监测系统(13),将空间(10)模拟成GEO轨道最恶劣的电子环境,由电子束辐照样品表面,诱发其表面静电放电;c.由工作模拟及监测系统(13)监测高压太阳阵样品表面充电电位和放电脉冲电流,以及静电击穿阈值电压和击穿瞬态脉冲波形。
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