[发明专利]钨酸铁锂正极薄膜材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710039147.1 申请日: 2007-04-05
公开(公告)号: CN101034740A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 李驰麟;傅正文 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/04;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;C01G1/00
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属锂离子薄膜电池技术领域,具体涉及一种应用于全固态薄膜锂电池的正极材料钨酸铁锂薄膜(LiFe(WO4)2)及其制备方法,本发明采用射频磁控溅射沉积法制备非晶态钨酸铁锂薄膜,其特点是薄膜在室温下沉积,无需退火处理,与固态电解质薄膜可形成良好匹配的界面。结合射频磁控溅射制备的锂磷氧氮(LiPON)固态电解质薄膜与真空热蒸发制备的金属锂负极薄膜,组装成全固态薄膜锂电池。电池的比容量可达104mAh/cm2-μm,循环次数可达150次。这些结果表明:射频磁控溅射方法制备LiFe(WO4)2正极薄膜,能应用于全固态薄膜锂电池。
搜索关键词: 钨酸铁锂 正极 薄膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种钨酸铁锂正极薄膜材料,其特征是由碳酸锂、氧化铁和氧化钨通过高温固相反应合成的非晶态钨酸铁锂薄膜材料,分子式为LiFe(WO4)2。
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