[发明专利]掺铥钬硅酸镥钇激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200710039413.0 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101092747A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;宗艳花;徐军;曹顿华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺铥钬硅酸镥钇激光晶体及其制备方法，掺铥钬硅酸镥钇激光晶体的化学式为：Tm2xHo2yLu2－2(x+y+z)Y2zSiO5，简写为Tm/Ho:LYSO，其中x、y、z的取值范围：0≤x≤0.06，0≤y≤0.02，0≤z≤0.5，具体包括：单掺Tm的LSO和LYSO晶体；单掺Ho的LSO和LYSO晶体；以及双掺杂Tm和Ho的LSO和LYSO晶体。采用提拉法铱坩埚硅酸镥籽品制备。经实验表明，该晶体是一种热力学性能良好，可实现低阈值高效率宽调谐的2μm波段激光晶体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铥钬 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺铥钬硅酸镥钇激光晶体，特征在于其化学式为：Tm2xHo2yLu2-2(x+y+z)Y2zSiO5，简写为Tm/Ho:LYSO，其中x、y、z的取值范围：0≤x≤0.06，0≤y≤0.02，0≤z≤0.5，具体包括：单掺Tm的LSO和LYSO晶体；单掺Ho的LSO和LYSO晶体；以及双掺杂Tm和Ho的LSO和LYSO晶体。
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