[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710039480.2 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101286473A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 胡建强;苏凤莲;苏婕;季春葵;李冠华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有介质层的半导体衬底，在所述介质层中具有导电插塞；对所述介质层的表面和导电插塞的表面进行等离子体处理；在所述介质层和导电插塞上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；图案化所述第二金属层，形成金属互连线；去除未被所述金属互连线覆盖的第一金属层，形成金属阻挡层。本发明能够改善介质层表面与金属阻挡层、接触塞或连接插塞的表面与金属阻挡层之间的粘附特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供具有介质层的半导体衬底，在所述介质层中具有导电插塞；对所述介质层的表面和导电插塞的表面进行等离子体处理；在所述介质层和导电插塞上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；图案化所述第二金属层，形成金属互连线；去除未被所述金属互连线覆盖的第一金属层，形成金属阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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