[发明专利]低蚀刻性光刻胶清洗剂无效
| 申请号： | 200710039481.7 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101286016A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 史永涛;彭洪修;刘兵;曾浩 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂，其含有：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。本发明的清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，且同时对于二氧化硅、铜等金属和低k材料等具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 光刻 洗剂 | ||
【主权项】：
1. 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂，其特征在于含有：苯甲醇和/或其衍生物、季铵氢氧化物和二甲基亚砜。
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