[发明专利]一种掩模版的制造方法

摘要

本发明提供了一种掩模版的制造方法，涉及半导体器件制造工艺。采用现有的掩模版执行曝光和显影工序时，由于散射光照射到邻近曝光场的电路图形上，会造成欠显影的问题，从而影响后续的电镀制程。本发明的掩模版制造方法，依次包括：提供一掩模基板；在掩模基板上形成曝光图形；以及在掩模基板的边缘形成具有一定宽度的挡光区域。采用该方法所制造出的掩模版在用于锡铅凸块工艺时，可有效防止欠显影问题的产生，从而不会影响到电镀制程，提高了产品的良率。

主权项

1、一种掩模版的制造方法，所述掩模版用于锡铅凸块工艺，通过曝光将掩模版上的曝光图形转移到涂覆有负性光阻的晶圆上形成电路图形，且相邻曝光场的间距很小，其特征在于，所述方法包括下列步骤：(1)提供一掩模基板；(2)在掩模基板上形成曝光图形；以及(3)在掩模基板的边缘形成具有一定宽度的挡光区域，以防止曝光光线经掩模版照射到相邻曝光场的电路图形上。