[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200710039785.3 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290877A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 范建国;季峰强;董智刚;黄柏喻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/265;C30B25/16;C30B31/22 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜的制备方法，涉及半导体制造领域。该制备方法包括如下步骤：提供进行沉积反应的沉积装置，其包括进行薄膜沉积的反应室及反应气体流量控制模块；提供半导体衬底，放置于沉积装置的反应室内；在上述反应气体流量控制模块设置气体流量峰值，进行第一预沉积步骤；在反应气体流量达到预设峰值后，进行第二预沉积步骤；进行主沉积步骤；对沉积的多晶硅薄膜进行预设剂量的离子注入。与现有技术相比，本发明的制备方法通过将预沉积步骤分为两步，且通过第一步预沉积过程对反应气体流量的峰值控制来调整调整多晶硅薄膜的阻值，从而提高了半导体器件的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：提供进行沉积反应的沉积装置，其包括进行薄膜沉积的反应室及反应气体流量控制模块；提供半导体衬底，放置于沉积装置的反应室内；在上述反应气体流量控制模块设置气体流量峰值，进行第一预沉积步骤；在反应气体流量达到预设峰值后，进行第二预沉积步骤；进行主沉积步骤；对沉积的多晶硅薄膜进行预设剂量的离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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