[发明专利]一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法有效
| 申请号： | 200710039788.7 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290865A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐艳博;刘瑛;王宏玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法，涉及晶圆的刻蚀工艺。现有的刻蚀制程中，由于反应腔侧壁上聚合物淀积不够紧密，容易出现淀积物脱落，造成晶圆表面缺陷的问题。本发明的方法主要用于解决刻蚀制程中的表面缺陷问题，该刻蚀制程包括在反应腔中分别执行步骤一和步骤二；执行步骤一时，会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积；执行步骤二时，会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积，所述方法在同一反应腔内运行数批不同的晶圆时，每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前，都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。本发明的方法通过合理安排晶圆在反应腔内的运行顺序，可有效改善反应腔侧壁的聚合物淀积程度，防止表面缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 刻蚀 制程中 产生 表面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止刻蚀制程中产生表面缺陷的方法，所述的刻蚀制程包括在反应腔中分别执行的步骤一和步骤二；执行步骤一时，会在反应腔侧壁上形成紧密的聚合物淀积；执行步骤二时，会在反应腔侧壁上形成疏松的聚合物淀积，其特征在于：所述方法在同一个反应腔内运行数批不同的晶圆时，每运行一批需要执行步骤二的晶圆之前，都要先运行至少两批需要执行步骤一的晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
