[发明专利]多孔二氧化锡多层纳米薄膜及其合成方法无效
| 申请号： | 200710040005.7 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101046459A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨平雄;秦苏梅 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多孔二氧化锡(SnO2)多层纳米薄膜及其合成方法，属气敏传感材料和气敏传感制备的技术领域。该薄膜为多层依次沉积在单晶硅基底上的多孔二氧化锡纳米薄膜，层数为6～12层。以金属无机盐SnCl2·2H2O和无水乙醇分别为前驱体和溶剂，经过制备用来制作二氧化锡纳米薄膜的溶液、加入表面活性剂、制备溶胶、匀胶、退火和得成品六个步骤，将多层多孔二氧化锡纳米薄膜依次沉积在单晶硅基底上，制得成品，多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的方法工艺简单，能制得化学稳定性好、功耗小、比表面积大和气敏灵敏度高的多孔二氧化锡多层纳米薄膜。所述的薄膜适于用来制作测量微量气体的气敏传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氧化 多层 纳米 薄膜 及其 合成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔二氧化锡多层纳米薄膜，其特征在于，该薄膜为多层依次沉积在单晶硅基底上的多孔二氧化锡纳米薄膜，层数为6～12层。
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