[发明专利]金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200710040236.8 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295633A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属－绝缘体－金属电容器的制造方法，包括：在半导体衬底的互连结构表面形成第一钝化层；图案化所述钝化层，并沉积第一金属形成焊盘和导线；所述焊盘用作下电极板，所述导线用作上电极板连接线；在具有焊盘、导线和钝化层的衬底表面沉积电介质层；刻蚀上电极板连接线表面的电介质层以便露出上电极板连接线；在所述电介质层和上电极板连接线表面沉积第二金属层作为上电极板；在所述上电极板表面沉积第二钝化层；刻蚀所述第二钝化层、第二金属层和电介质层形成绝缘沟槽。本发明的方法能够利用器件表层的铝焊盘和布线形成MIM电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括：在半导体衬底的互连结构表面形成第一钝化层；图案化所述钝化层，并沉积第一金属形成焊盘层和导线；所述焊盘层用作下电极板，所述导线用作上电极板连接线；在具有焊盘、导线和钝化层的衬底表面沉积电介质层；刻蚀上电极板连接线表面的电介质层以便露出上电极板连接线；在所述电介质层和上电极板连接线表面沉积第二金属层作为上电极板；在所述上电极板表面沉积第二钝化层；刻蚀所述第二钝化层、第二金属层和电介质层形成绝缘沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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