[发明专利]缺陷的检测结构及其制作方法、检测方法无效
| 申请号： | 200710040256.5 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295624A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张步新;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种缺陷检测结构的制作方法，包括下列步骤：在包含至少一个隔离结构的晶圆上形成导电层；图形化导电层，形成至少一个第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极和第二电极横跨于所有隔离结构上，且间隔排列。经上述步骤，检测出缺陷后直接可以对缺陷进行补救，成品率提高，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 结构 及其 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷检测结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：在包含至少一个隔离结构的晶圆上形成导电层；图形化导电层，形成至少一个第一电极和至少一个第二电极，所述第一电极和第二电极横跨于所有隔离结构上，且间隔排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
