[发明专利]浅沟槽的预清洗方法无效
| 申请号： | 200710040259.9 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295625A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽的预清洗方法，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；采用清洗溶液清洗已形成所述浅沟槽的半导体基底，所述清洗溶液的工艺参数满足所述清洗溶液对清洗生成物的运载要求。通过调整清洗溶液的运载能力，以增强预清洗过程中溶解于清洗溶液中的清洗生成物的运载能力，使其满足所述清洗溶液对清洗生成物的运载要求，可减少所述预清洗反应的逆反应的发生，继而减少浅沟槽内残留物缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽的预清洗方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成浅沟槽；采用清洗溶液清洗已形成所述浅沟槽的半导体基底，所述清洗溶液的工艺参数满足所述清洗溶液对清洗生成物的运载要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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