[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

一种图像传感器，包括：位于相邻像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于半导体衬底表面下光电二极管区域的具有第一导电类型的第一掺杂阱及位于第一掺杂阱下具有第二导电类型的第二掺杂阱；在半导体衬底中器件隔离层下还形成有隔离阱，所述隔离阱的底部位于第二掺杂阱之下。本发明通过采用隔离阱对像素单元之间的光电二极管区域进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电二极管区域产生漏电流；同时由于隔离阱位于器件隔离层之下，其底部位于光电二极管的第一掺杂阱之下，因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电二极管性能得到保证。

主权项

1.一种图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一像素单元区域和第二像素单元区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；位于半导体衬底中的、第一像素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于光电二极管区域具有第二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；位于半导体衬底表面下第一掺杂阱上的具有第一导电类型的第二掺杂阱；其特征在于，在半导体衬底中还形成有隔离阱，所述隔离阱位于器件隔离层之下，所述隔离阱具有第一导电类型，所述隔离阱的底部位于第一掺杂阱之下。