[发明专利]一种芯片的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200710040531.3 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101303964A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李建凤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种芯片的蚀刻方法，该芯片包括保护层、金属层、氧化层及底层；所述蚀刻方法包括突破步骤、主蚀刻步骤、过蚀刻步骤，突破步骤完成保护层的蚀刻，主蚀刻步骤完成金属层的蚀刻，过蚀刻步骤完成氧化层的蚀刻；所述主蚀刻步骤分为第一主蚀刻步骤及第二主蚀刻步骤；所述第一主蚀刻步骤通过控制蚀刻时间来控制蚀刻的结束；所述第二主蚀刻步骤通过金属层端点返回的信号来控制蚀刻的结束。由于本发明的蚀刻方法主蚀刻中两步骤分别使用不同的蚀刻控制方法，可以增加芯片表层的一致性，消除以往在氧化层中间造成的管沟，从而提高芯片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1、一种芯片的蚀刻方法，该芯片包括保护层、金属层、氧化层及底层；所述蚀刻方法包括突破步骤，该步骤完成保护层的蚀刻；主蚀刻步骤，该步骤完成金属层的蚀刻；过蚀刻步骤，该步骤完成氧化层的蚀刻；其特征在于：所述主蚀刻步骤分为第一主蚀刻步骤及第二主蚀刻步骤；所述第一主蚀刻步骤通过控制蚀刻时间来控制蚀刻的结束；所述第二主蚀刻步骤通过金属层端点返回的信号来控制蚀刻的结束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710040531.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
