[发明专利]GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器

摘要

本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。

主权项

1.一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器，包括GaAs衬底(1)，在GaAs衬底上置有多量子阱外延薄膜，通过常规的器件芯片制备工艺在外延薄膜上形成的光敏元列阵；其特征在于：所说的光敏元列阵上置有通过刻蚀形成的交叉排列的响应中波和长波的二维衍射光栅，由此而构成交叉排列的响应中波光敏元(6)和响应长波光敏元(7)。