[发明专利]晶圆上实现离子注入剂量和能量的匹配方法有效
| 申请号： | 200710040641.X | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308763A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 许世勋;袁燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，涉及半导体制造领域。该匹配方法包括如下步骤：a.提供一片晶圆，划分为数个区域；b.进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；c.对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；d.移除光刻胶；e.继续进行步骤b、c、d，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；f.测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。与现有技术相比，本发明实现了在一片晶圆上进行匹配测试，降低了成本，另外，在一片晶圆上进行匹配测试，使各个区域的匹配测试的外界条件均是相同的，提高了匹配结果的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上 实现 离子 注入 剂量 能量 匹配 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.提供一片晶圆，划分为数个区域；b.进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；c.对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；d.移除光刻胶；e.循环进行步骤b、c、d，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；f.测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710040641.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
