[发明专利]多晶硅的刻蚀方法

摘要

本发明提供一种形成类倒梯形多晶硅截面的方法，涉及半导体器件制造工艺。采用传统的干法刻蚀制程无法获得形状一致且特征线宽均匀性较好的类倒梯形多晶硅截面。本发明的方法包括下列步骤：首先提供一基板，并在基板上形成一栅氧化层；接着，在栅氧化层上依次淀积数层多晶硅层，且该数层多晶硅层的掺杂浓度依次减小；然后，对该数层多晶硅层进行干法刻蚀，以形成垂直截面；以及对该数层多晶硅层进行湿法刻蚀，以形成类倒梯形截面。采用本发明的方法能够获得上宽下窄的类倒梯形多晶硅截面，并能保证良好的特征线宽均匀性。

主权项

1、一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于，包括：a)提供一基板，并在基板上形成一栅氧化层；b)在所述的栅氧化层上依次淀积数层多晶硅层，且该数层多晶硅层的掺杂浓度依次减小；c)对所述的数层多晶硅层进行干法刻蚀，以形成垂直截面；以及d)对所述的数层多晶硅层进行湿法刻蚀，以形成类倒梯形截面。