[发明专利]适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法有效
| 申请号： | 200710040766.2 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101060077A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;陈玮;张敏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为2－5nm的钌薄膜，然后经高温快热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 闪存 高密度 纳米 原子 层淀积 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在经传统工艺进行清洗的硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜；(2)用原子层淀积的方法在步骤(1)制得氧化物薄膜上生长钌纳米晶，反应前体分别为RuCp2和氧气；淀积温度为280-350℃，反应腔气压为1-5托，原子层淀积反应循环数为10-400周期；单个反应循环包括1-3秒钟RuCp2载气通入，2-10秒钟氮气吹洗，1-3秒钟氧气通入，2-10秒钟氮气吹洗；(3)高温快速热退火，退火温度为800-900℃，退火时间为15-60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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