[发明专利]制备高比表面碳化硅纳米管的方法无效
| 申请号： | 200710041101.3 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101062771A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 万传云 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术学院 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200235*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了二种采用模板法制备高比表面碳化硅纳米管的方法，技术方案一，步骤如下：a.选用多孔氧化铝作为模板浸入到氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中；b.将上述氧化铝模板在马弗炉中50～600℃温度下放置1～10小时；c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体；d.将上述前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下以2～10℃/min的速度升温到1000～1700℃，然后恒温0.5～10小时得到碳化硅纳米管。技术方案二将技术方案一的步骤c、步骤d互换。本发明制备的碳化硅纳米管比表面积为3500－4500m2/g，可作为半导体材料、功能材料、光电器件具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 比表面 碳化硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高比表面碳化硅纳米管的制备方法，包括下列步骤：a.选用平均孔径为200nm、厚度为60um规格的多孔氧化铝作为模板，然后将上述模板浸入到聚苯基甲基硅氧烷溶液或氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中；b.将浸过混合溶液的氧化铝模板在马弗炉中50～600℃温度下放置1～10小时使模板中的聚硅氧烷固化；c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体；d.将上述聚硅氧烷纳米管的前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下，以2～10℃/min的升温速度将温度升至1000～1700℃，然后恒温0.5～10小时，得到碳化硅纳米管，该碳化硅纳米管的比表面积为3500-4500m2/g。
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