[发明专利]光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法无效
| 申请号： | 200710041110.2 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101311823A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘庆炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光学近距修正方法，包括下列步骤：提供至少两个线端靠近的布局线路图形；在两个线端的对侧分别形成布局辅助图形。还提供光掩模版制作方法和图形化方法，使在晶圆上形成的至少两个线路图形线端之间不产生桥接。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 近距 修正 方法 模版 制作方法 图形 | ||
【主权项】：
1.一种光学近距修正方法，其特征在于，包括下列步骤：提供至少两个线端相邻或相对的布局线路图形；在两个线端的对侧形成对应的布局辅助图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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