[发明专利]集成微热沉系统及其制备方法无效
申请号: | 200710041126.3 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN101086987A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 吴慧英;郑平;刘恩光 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/34;H01L21/82;H01L21/302 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种集成微热沉系统及其制备方法,由玻璃片和硅片键合而成,在硅片的一个面上加工有均匀平行分布的微型冷却通道,另一面的氧化膜层上与微型冷却通道对应的区域中,纵向布置若干组微型测温元件和微型发热元件,每组元件均横向均匀平行布置,在氧化膜层及其上的元件上覆盖低温氧化层,低温氧化层上沉积一层氮化硅绝缘层,从微型测温元件和微型发热元件引出输入输出铝硅导线。本发明特别采用了哑铃形微型测温元件和蛇状微型发热元件,缩短了发热元件与散热元件之间的距离,降低散热热阻,从而提高单位体积内的换热面积,增大换热量,同时使芯片温度的测量更加精确可靠,可用于微电子芯片发热系统的模拟试验。 | ||
搜索关键词: | 集成 微热沉 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种集成微热沉系统,由玻璃片(1)和硅片(2)键合而成,在硅片(2)的与玻璃片(1)接触的侧面上加工有若干条均匀平行分布的微型冷却通道(3),其特征在于在所述硅片(2)另一侧面的氧化膜层(4)上与微型冷却通道(3)对应的区域中,纵向布置若干组微型测温元件(9)和若干组微型发热元件(5),每组微型测温元件(9)和每组微型发热元件(5)均横向均匀平行布置,在氧化膜层(4)及其上的元件上覆盖一层低温氧化层(6),低温氧化层(6)上沉积一层氮化硅绝缘层(7),从每组微型测温元件(9)和每组微型发热元件(5)分别引出的输入输出铝硅导线(8)经铝硅导线节点(11)连接外部元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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