[发明专利]改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法有效
| 申请号： | 200710041356.X | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101315502A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 向阳辉;曾贤成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;C23C16/513;C23C16/52;C23C16/448 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上及沟槽内沉积介质层，所述沉积法的偏压强为3000W～3500W；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。本发明还提供一种制作硅基液晶显示器的方法。介质层在沟槽处的开口高宽比及开口宽度较大，在后续蚀刻工艺中在与沟槽相接的金属层上不产生绝介质层侧墙，进而减少了微反射镜漫反射，提高微反射镜反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 反射 介质 缺陷 制作 液晶显示器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上及沟槽内沉积介质层，所述沉积法的偏压强为3000W～3500W；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。
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