[发明专利]一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710041440.1 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101097798A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 薛志萍 | 申请（专利权）人： | 上海华源磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/36 | 分类号： | H01F1/36;C04B35/38;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 202156*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为：将原料三氧化二铁70-71％、四氧化三锰21.5-22.5％、氧化锌7-8％、五氧化二钒0.02-0.03％、二氧化硅为0.00125-0.0025％、碳酸钙0.025-0.05％充分拌和；将充分拌和的原料送入预烧炉，将预烧后的原料，输送到球磨机里，进行砂磨，把颗粒粉料通过压机成型；将成型产品在氮窑中烧结，保持温度1330±50℃，氧含量为3-5％，降温开始后，氧含量急骤下降，在1100℃时氧含量保持在0.2％，以后氧含量在200-500PPm之间。本发明的优点是铁氧体的饱和通密度增加，功耗明显降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高磁通低 功耗 磁铁 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高磁通低功耗软磁铁氧体材料的制备方法，其方法为：第一步.将原料三氧化二铁70-71％、四氧化三锰21.5-22.5％、氧化锌7-8％、五氧化二钒0.02-0.03％、二氧化硅为.00125-0.0025％、碳酸钙0.025-0.05％充分拌和；第二步.将充分拌和的原料送入预烧炉，预烧温度为1150℃-1200℃，预烧时间为1-4小时，恒温1-4小时；第三步.将预烧后的原料，输送到球磨机里，进行50-60分钟砂磨，形成粒径为1.0-1.3μm的微小颗粒；第四步.把颗粒粉料通过压机成型；第五步.将成型产品在氮窑中烧结，在烧结过程中，保持温度，1330土50℃，氧含量为3-5％，降温开始后，氧含量急骤下降，在1100℃时氧含量保持在0.2％，以后氧含量在200-500PPm之间。
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