[发明专利]一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法

摘要

本发明公开了一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法，该方法是利用电子束光刻技术中的邻近效应，将两个图案设计成连续，通过控制电子束的刻蚀能量与图形转移将两个图案的Gap控制在亚10纳米级。本发明的优点是：构筑简单易行，重复性好。

主权项

1.一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法，其特征在于包括四个步骤：A.图案的设计 利用GDSII软件设计图案，图案可以是两个三角形的顶点连接，两个矩形连接，但不能交叠，或者是一个圆环，并且列阵排列；B.衬底的准备 首先按照半导体标准工艺处理衬底，然后在衬底上用匀胶机旋涂对电子束敏感的光刻胶，并加温固化，固化后的光刻胶厚度为20-300纳米。C.电子束刻蚀 将计算机设计好的图案由与计算机连接的图形发生器控制场发射扫描电子显微镜对衬底上的光刻胶按预先设计好的图案进行刻蚀；根据不同的光刻胶和不同的图案，在设定电压下，通过控制电子束的电流和曝光剂量，调节二个图案连接处的纳米Gap结构或反相结构的尺寸大小；然后通过常规的半导体工艺中的显影和定影得到衬底表面具有亚10纳米Gap结构图案的阵列；D.对衬底表面的亚10纳米Gap结构图案，采用溅射、或者热蒸发的方法，先沉积上一层过渡金属层，如镉或钛，再沉积一定5-200纳米厚度的Au或Pt或Cu，最后在有机溶剂中除去光刻胶，得到具有亚10纳米的Gap结构极其阵列。