[发明专利]一种只读存储器结构及相应的只读存储器

摘要

本发明公开了一种只读存储器结构及相应的只读存储器，涉及半导体器件结构。现有的只读存储器，对应每一个比特都需设置一个晶体管，只读存储器模块的尺寸较大。本发明的只读存储器结构，包括多晶硅层、两个布线层、一个晶体管和3n层金属，其中n为自然数；所述的3n层金属以堆叠的形式通过一组通孔依次连接，若将3n层金属从下到上依次标号为M₂，M₃，...，M_3n+1，则第3n层金属为连接层，其余金属层为比特(bit)层；所述晶体管的栅极连接至多晶硅层，漏极通过布线层连接至比特层。本发明还公开了采用该结构的只读存储器。采用本发明可有效减小只读存储器的横向尺寸，增加器件的存储容量。

主权项

1、一种只读存储器结构，包括多晶硅层和两个布线层，其特征在于：还包括一个晶体管和3n层金属，n为自然数；所述的3n层金属以堆叠的形式通过一组通孔依次连接，若将3n层金属从下到上依次标号为M2，M3，...，M3n+1，则第3n层金属为连接层，其余金属层为比特(bit)层；所述晶体管的栅极连接至多晶硅层，漏极通过布线层连接至比特层。