[发明专利]光刻误差的计算方法无效

专利信息
申请号: 200710041903.4 申请日: 2007-06-12
公开(公告)号: CN101067728A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 金晓亮;郑铭仁;梁强 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 201203上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种光刻误差的计算方法,其利用类神经网络模型(Neural Network model,NN model)计算半导体光刻工艺中叠对(overlay)的误差值,将误差源设为多个由多个细胞元(cell)所构成的部分,并在类神经网络模型中建立一权重表记录每一细胞元的初始权重,利用测量过程中所产生的误差前馈以调整权重表中的初始权重值,得到新的权重,并以此新权重做为下一批次工作的初始权重,由于此新权重比原本的初始权重更贴近正确值,因此得知,利用类神经网络模型的计算可得到最佳化的叠对误差,当有新产品需要试运可用这些数据来得到较佳的预测,提高产品良率。
搜索关键词: 光刻 误差 计算方法
【主权项】:
1.一种光刻误差的计算方法,其特征在于:利用一类神经网络模型计算光刻叠对中下一批次工作的误差,具体包括下列步骤:(a)假设一叠对误差源由多个部分所组成,且每一该部分皆包含多个细胞元;(b)从该类神经网络模型中取得每一该细胞元的一初始权重,并利用该类神经网络模型的一测量模块计算后取得一计算结果,加总得到一第一误差值;以及(c)将该计算结果中的一前馈误差回传至相关的该细胞元,利用该计算结果及该第一误差值计算出一新初始权重。
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