[发明专利]外延图形漂移量的测量方法有效
| 申请号： | 200710041946.2 | 申请日： | 2007-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101325168A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延图形漂移量的测量方法，该方法首先对硅片进行外延前的工艺，形成隐埋层窗口；然后再进行外延工艺，此时光刻对准标记和隐埋层窗口都发生了偏移；其后进行涂胶，再使用形成原隐埋层窗口的掩膜版对硅片进行对准、曝光；然后将硅片沿X轴切片、染色；最后便能对外延图形的偏移量及外延层厚度进行测量，从而求出图形漂移率。本发明可以在单片炉上一次成功地实现外延图形漂移量的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 图形 漂移 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延图形漂移量的测量方法，其特征是：该方法包括如下步骤：第1步，对硅片进行外延前的工艺，形成隐埋层窗口；第2步，进行外延工艺；第3步，涂光刻胶，烘胶，使用第1步中形成隐埋层窗口的掩膜版对硅片进行对准、曝光；第4步，将硅片沿X轴切片，染色；第5步，测量外延图形漂移量，计算外延图形漂移率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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