[发明专利]晶片的干燥方法有效
| 申请号： | 200710042136.9 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329134A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翟冬梅;代培刚;戚东峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | F26B3/06 | 分类号： | F26B3/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片的干燥方法，包括步骤：将晶片放置在片架上；将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；向所述干燥器内通入氮气；提升所述片架；当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且继续通氮气；然后停止通入氮气，取出片架。本发明的晶片干燥方法在保持较好的晶片干燥效果的前提下，避免了热IPA蒸汽对晶片表面的光刻胶图形的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶片的干燥方法，其特征在于，包括步骤：将晶片放置在片架上；将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；向所述干燥器内通入氮气；提升所述片架；当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且继续通入氮气；停止通入氮气，取出晶片。
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