[发明专利]自对准浅沟槽隔离结构、存储器单元及其形成方法

摘要

一种自对准浅沟槽隔离结构形成方法，包括在自对准浅沟槽隔离结构工艺中加入侧墙后再进行氧化步骤进而形成场氧化层，然后在隔离区形成沟槽和采用衬氧化层和第三绝缘层填充沟槽。本发明通过在自对准浅沟槽隔离结构工艺中加入侧墙后再进行氧化步骤进而形成场氧化层，防止了自对准浅沟槽隔离结构与栅介质层相接触处形成尖角。相应地，本发明提供一种自对准浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种存储单元及其形成方法，防止了存储单元区域和外围电路区域的自对准浅沟槽隔离结构与栅介质层相接触处形成尖角。

主权项

1.一种自对准浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，把半导体衬底分为有源区和有源区相间的隔离区；在半导体衬底上依次堆叠形成栅介质层、多晶硅层、第一绝缘层、第一蚀刻停止层、第二绝缘层及第二蚀刻停止层；依次蚀刻去除隔离区的第二蚀刻停止层、第二绝缘层、第一蚀刻停止层、第一绝缘层及多晶硅层，暴露出栅介质层；在有源区的堆叠的多晶硅层、第一绝缘层、第一蚀刻停止层、第二绝缘层及第二蚀刻停止层周围、栅介质层上形成侧墙；进行氧化步骤，在有源区与隔离区交界处、栅介质层与半导体衬底交界处形成场氧化层；蚀刻隔离区的栅介质层和半导体衬底形成沟槽，去除有源区的第二蚀刻停止层和第二绝缘层；在沟槽内以及第一蚀刻停止层上形成衬氧化物层和第三绝缘层；平坦化第三绝缘层和衬氧化物层，去除有源区的第一蚀刻停止层和第一绝缘层；在有源区形成栅极以及在栅极两侧、半导体衬底中进行源/漏离子注入形成源/漏极。