[发明专利]确定沟槽刻蚀时间的方法和浅沟槽隔离的制造方法有效
| 申请号： | 200710042139.2 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101330017A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈海华;黄怡;张海洋;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种确定沟槽刻蚀时间的方法，包括：提供具有沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间，其中，所述第二掩膜板具有沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点。本发明还提供一种浅沟槽隔离的制造方法。本发明获得沟槽的刻蚀时间的工艺较为简单，且节省时间。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 沟槽 刻蚀 时间 方法 隔离 制造 | ||
【主权项】：
1、一种确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间，其中，所述第二掩膜板具有沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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